😎 공부하는 징징알파카는 처음이지?

module tb_RCA_4bit( ); reg [3:0] r_A, r_B; wire [4:0] w_sum; wire [4:0] w_sum_math; wire w_diff; RCA_4bit u_RCA_4bit( .A ( r_A ), .B ( r_B ), .sum ( w_sum[3:0] ), .Cout ( w_sum[4] ) ); assign w_sum_math = r_A + r_B; assign w_diff = ~(w_sum == w_sum_math); initial..

조합 논리회로기억이 없어요출력 = 현재 입력만으로 결정과거 기록 없음예: AND, OR, 가산기, MUX입력 → 조합회로 → 출력 순차 논리회로기억이 있어요출력 = 현재 입력 + 과거 상태플립플롭으로 상태 저장예: 카운터, 레지스터, FSM입력 + 현재상태 → 다음상태 + 출력 순차회로 기본 구조① 외부 입력 (x)회로 밖에서 들어오는 신호↓② 조합 논리부입력 + 현재상태 → 다음상태 계산입력 + 현재상태 → 출력 계산↓ CLK③ 기억 소자 (플립플롭)현재 상태를 저장 — CLK↑마다 갱신↓ 피드백④ 출력 (y)Mealy: 상태+입력 / Moore: 상태만★ 핵심: 플립플롭 출력이 다시 조합회로 입력으로 돌아오는 피드백 루프가 있어요 순차회로 분석 4단계Step 1. 상태 방정식 도출회로도에서 각 플립플..

Mealy and Moore Models Mealy 모델출력 = 현재상태 + 입력출력이 입력에 즉시 반응해요CLK 없이도 x가 바뀌면 y가 바뀜입력 노이즈가 바로 출력에 나타남 ⚠️상태 수가 적어도 됨 (효율적)y = f(현재상태, x)예: y(t) = (A+B)·x' Moore 모델출력 = 현재상태만출력이 CLK와 동기화돼요CLK↑ 후에만 출력이 바뀜입력 노이즈 영향 없음 ✓상태 수가 더 많이 필요y = f(현재상태)예: y = g(A, B) — x 무관 Mealy Moore 출력 결정상태 + 입력x상태만출력 타이밍x 바뀌면 즉시CLK↑ 후에만노이즈 영향받음 ⚠️없음 ✓필요한 상태 수적음 (효율적)많음구현 복잡도출력 로직 복잡출력 로직 단순주요 사용처통신 프로토콜CPU 제어, 신호등

SR Latch 기억하는 소자 — 그런데 금지 상태가 있어요S(Set)와 R(Reset) 두 개 입력으로 Q를 1 또는 0으로 만들고, 둘 다 0이면 이전 값을 기억해요.S=1 R=0 → Q=1 (셋)S=0 R=1 → Q=0 (리셋)S=0 R=0 → Q 유지 (기억)S=1 R=1 → 모순! 결과 예측 불가 → 금지 상태입력: S, R출력: Q트리거: 레벨↓ 금지 상태를 없애고 싶다 D LatchSR 래치 개선판 — 금지 상태 없음입력을 D 하나로 줄이고 EN(Enable)으로 문을 열고 닫아요.EN=1이면 D가 바로 Q로 들어오고, EN=0이면 잠겨서 Q 유지.EN=1 → Q = D (투명, 실시간 반영)EN=0 → Q 유지 (잠김)EN=1인 구간 전체에서 D가 흘러들어옴 → 노이즈에 취약입력: D, E..

플래시 메모리 플래시 메모리는 FGMOS(Floating Gate MOSFET) 라는 특별한 구조의 MOSFET에 전하(electrical charge)를 축적하여 데이터를 기억한다.플로팅 게이트에 축적된 전하의 유무에 따라 0과 1의 데이터를 저장하며, 축적된 전하는 전원 공 급이 없어도 5~10년 동안 전하를 저장할 수 있다.플로팅 게이트에 저장된 전자가 많으면 논리 0이 저장되고, 전자가 적거나 없을 경우에는 논리1 이 저장된다. SLC, MLC, TLC의 차이와 특성플로팅 게이트에 주입된 전자의 양에 따라 데이터를 구분하는 개념으로 셀을 운용SLC : 셀 하나에 1비트 정보 저장 0, 1MLC : 셀 하나에 2비트 정보 저장 00, 01, 10, 11TLC : 셀 하나에 3비트 정보 저장 000..

자기 기억 장치강자성체를 이용한다. 정보 쓰기: 헤드에 전류를 흘려 자기장이 만들어지면 (앙페르의 법칙) 트랙이 헤드와 반대 극 성으로 자화된다.정보 읽기: 트랙을 이동시켜 헤드를 통과하는 자기장이 변하면 헤드에 유도 전류가 흐르는 (패러데이의 법칙) 원리를 이용한다.자기 디스크는 플라스틱이나 알루미늄 재질의 원형 평판에 강자성체 물질이 코팅되어있다. 보통 하드 디스크(hard disk)라고도 한다 RAID 출현 배경한 개의 대형 디스크를 사용하는 것보다, 크기가 작은 여러 개의 디스크들을 서로 연결하여 하나의 큰 용량을 가진 디스크 배열(disk array)을 구성하면, 보다 더 저렴한 가격으로 더 큰 용량을 가진 디 스크 서브 시스템의 구성 가능장점 • 데이터 분산 저장에 의한 동시 액세스(concu..

가상 기억 장치(virtual memory)하드 디스크처럼 용량이 큰 보조 기억 장치를 주기억장치처럼 사용하는 개념CPU가 참조하는 가상 주소를 주기억장치의 실제 주소로 변환하는 주소 매핑이 필요하다. 주소매핑(address mapping)프로그래머가 프로그램에 표시한 주소를 가상 주소 virtual address 또는논리 주소 logical address 라하고, 이들의 주소 집합을 주소 공간이라 한다.실제 프로그램이 적재되는 주기억장치의 주소를 물리 주소 physical address 라하고, 이들의 집합을 메모리공간이라한다. 페이지에 의한 매핑페이지(page): 주소 공간을 고정 크기로 나눈 것블록(block): 메모리 공간을 고정 크기로 나눈것페이지에 대한 기억 장치 매핑표를 가지고 페이지를 블록..

기억장치 시스템에서 액세스 속도, 가격, 용량의 관계액세스 속도가 빨라질수록 비트당 가격은 높아진다용량이 증가할수록 비트당 가격은 감소하고, 액세스 속도도 낮아진다➊레지스터액세스 속도가 가장 빠르지만 비트당 가격도 가장 높아 CPU에 소량 존재한다.RISC 계열의 CPU는 레지스터가 200개 이상이지만 보통은 수십 개 정도다.➋캐시메모리캐시는 주기억장치와 CPU의 속도 차를 줄이기 위해 레지스터와 주기억장치사이에서 CPU가 자주 사용하는 명령어나 데이터를 일시 저장하는 버퍼 역할을 한다.캐시는 SRAM으로 구성되는데, CPU 내부에 있으면 L1 캐시, 외부에 있으면L2 캐시라고 하는데 요즘은 L2 캐시도 CPU 내부에 집적한다.➌주기억장치DRAM으로 구성했다가 요즘은 SDR SDRAM이나 DDR SDRA..